RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
77
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.9
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
77
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
11.9
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
1517
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link