Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 19.5

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 72

Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи

18.2 1,938.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

72 24
Скорость чтения, Гб/сек

4,241.0 19.5
Скорость записи, Гб/сек

1,938.7 18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

677 3990

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-010.A00LF 4GB

Kingston 9965525-010.A00LF 4GB

Kingston 9905403-114.A00LF 2GB

Kingston 9905403-114.A00LF 2GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

модули RAM

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB

Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

модули RAM