RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link