RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
64
Около -121% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3483
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link