RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
64
Около -121% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3483
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link