RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
64
Около -113% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2494
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link