RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
64
Около -113% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2770
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link