RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
65
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
47
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
11.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2323
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link