RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
65
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
47
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2323
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link