RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
45
Около -10% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
41
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
7.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
1512
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link