RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
17.1
Скорость записи, Гб/сек
6.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3384
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link