RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.7
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
42
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.9
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
38
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
8.9
Скорость записи, Гб/сек
6.0
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2206
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link