RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
45
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
42
45
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
13.0
Скорость записи, Гб/сек
6.0
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2079
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link