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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
45
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
45
读取速度,GB/s
9.7
13.0
写入速度,GB/s
6.0
9.0
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2079
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB RAM的比较
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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