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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
14.0
13.2
写入速度,GB/s
9.2
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
3068
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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