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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
54
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
54
读取速度,GB/s
10.4
15.7
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2511
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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