RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    21 left arrow 42
    Около -100% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.8 left arrow 9.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.5 left arrow 6.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    42 left arrow 21
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.7 left arrow 18.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.0 left arrow 13.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1396 left arrow 3168

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Сравнения RAM

G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
модули RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
модули RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
модули RAM
Mushkin 996902 2GB
Mushkin 996902 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
модули RAM