RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.6
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
10.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
1998
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link