RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
42
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
3038
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link