RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2356
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link