RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
77
Por volta de -185% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.4
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
7.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2356
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link