Comparação RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Pontuação geral

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

38 39

Por volta de 3% menor latência

Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.5 14.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.5 10.3

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2148 2264

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns