RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB против Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
10.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
39
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
10.3
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2148
2264
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link