Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB против Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    38 left arrow 39
    Около 3% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.5 left arrow 14.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.5 left arrow 10.3
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    38 left arrow 39
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.2 left arrow 15.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.3 left arrow 11.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2148 left arrow 2264
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения