RAM-Vergleich Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Gesamtnote

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

38 39

Rund um 3% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.5 14.2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.5 10.3

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2148 2264

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns