Confronto tra le RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Punteggio complessivo

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

38 39

Intorno 3% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.5 14.2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.5 10.3

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2148 2264

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns