Comparaison de la RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Note globale

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

38 39

Autour de 3% latence réduite

Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.5 14.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.5 10.3

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2148 2264

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns