RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
39
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2148
2264
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link