Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Wynik ogólny

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Wynik ogólny

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

38 39

Wokół strony 3% niższe opóźnienia

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.5 14.2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.5 10.3

Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR4 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

38 39
Prędkość odczytu, GB/s

14.2 15.5
Prędkość zapisu, GB/s

10.3 11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps

21300 21300

Other

Opis

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2148 2264

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB