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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
総合得点
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
39
周辺 3% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
14.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
10.3
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
39
読み出し速度、GB/s
14.2
15.5
書き込み速度、GB/秒
10.3
11.5
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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