RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2594
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link