RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2408
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link