RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
57
71
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
57
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2792
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link