RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
71
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
57
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2792
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link