RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
71
Около -129% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3509
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link