Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Средняя оценка

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 16.6

Среднее значение в тестах

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

Причины выбрать
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 71

Около -145% меньшая задержка
Выше скорость записи

15.2 1,322.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

71 29
Скорость чтения, Гб/сек

2,831.6 16.6
Скорость записи, Гб/сек

1,322.6 15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

399 3629

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston 9965604-016.C01G 8GB

Kingston 9965604-016.C01G 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB

модули RAM

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Apacer Technology D22.23263S.002 16GB

Apacer Technology D22.23263S.002 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB

модули RAM