RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
71
Около -294% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.2
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
18
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
21.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3663
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link