RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
71
Около -294% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.2
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
18
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
21.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3663
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link