Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Средняя оценка

Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB

Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 15.8

Среднее значение в тестах

Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB

Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 71

Около -122% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.9 1,322.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

71 32
Скорость чтения, Гб/сек

2,831.6 15.8
Скорость записи, Гб/сек

1,322.6 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

399 2967

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB

V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

модули RAM