RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
71
Около -137% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2875
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link