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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
71
左右 -137% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
30
读取速度,GB/s
2,831.6
15.0
写入速度,GB/s
1,322.6
12.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2875
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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