RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
71
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3779
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link