RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
71
Около -137% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3398
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link