RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
71
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3398
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link