RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2650
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link