RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
77
Autour de -103% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2650
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link