RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
77
Por volta de -103% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2650
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link