RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
71
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
20.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3462
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link