RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
71
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3462
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link