RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
71
Около -223% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3152
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Team Group Inc. Vulcan-2400 4GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link