RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
71
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3152
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link