RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
71
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
13.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2243
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link