RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2243
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link