RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
71
Около -173% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3025
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link